可変マグネトロン対向スパッタとは?
一般的なマグネトロンスパッタのターゲットを水平に対向させて配置させることで、
低ダメージ&高速スパッタを可能にした対向スパッタ装置です。
さらに、ターゲットの中心のマグネットを移動させることで、放電状態を変化。
ターゲット材料に最適な磁場環境を作り出すことができます。



  • 装置全体外観
  • 可変マグネトロン技術搭載対向スパッタ装置
  • 放電の様子(対向スパッタモード)
  • プロセスチャンバー

可変マグネトロン対向スパッタの4大特徴

プラズマダメージが極めて少なく
高スループット性を実現

可変スパッタモードにより
初期成長膜をリニアにコントロール

高速スパッタモードでも低温
プラスチック基板でも冷却不要

レシピ機能とデータフィードバック
機能によって早い試作・検討

左の項目をクリックすると
こちらに説明が表示されます。






 


装置構成
基本構成
チャンバーサイズ(容量):
H300×W300×L250 mm (22.5L)
排気ポンプ:
TMP 50L/s + SP 50L/min
ASP:
コンダクタンスバルブ+バラトロン(13.3 Pa)
マスフローコントローラ: O2 (1sccm)×1  Ar (50sccm)×1
DC電源: 1KW×1
RF電源: 1KW 13.56MHz×1 オートマッチング
装置サイズ: 幅850 mm 高さ1000 mm 奥行650 mm
マグネトロンソース
ターゲットサイズ: 3インチ(75 mm)
マグネット材質: ネオジム 
冷却水: 流量 0.5~1L/min
シールドギャップ: 1.0 mm以下 (Alシールド)
マグネット可動距離: 50 mm(左右別駆動)
試料作成
スパッタ圧力: 7.0 x 10-1Pa(5 x 10-3Torr)前後
標準堆積速度・膜厚・処理時間: ~100nm/min・100~200nm・1~4min
基板温度: 80℃以下
基板: □25 mm×4 
基板ホルダー: □50 mm
制御&ソフト
PCコントロール:
PLC+PC, レシピ機能, dataロギング機能, RF・DC


磁石移動による放電状態の変化
ターゲットの奥にある磁石のうち、 中央の磁石が可動します。
そうすることで、ターゲットの磁場状態が変化し、
最適な磁場状態を得ることができます。



作製技術の応用
可変マグネトロン対向スパッタの今後として、
下記の用途・材料に応用を検討中です。
◇Liイオン二次電池
LiMn2O4
LiPON
LLZ
LBLT
◇透明導電性膜
TiO2/SiO2
Al2O3
MgF2
Ta2O5
◇オプトエレクトロニクス
ITO
TiO2
ZnO
SnO2
◇TFT半導体
InGaZnO4
CuAlO2
ZnO
SnO


開発体制
ソフトウェア開発:有限会社テックウェア
研究開発:株式会社コスモ・サイエンス 開発チーム


Back



.